Просвечивающий электронный микроскоп JEOL 1200 EX

Основные параметры установки:

·         Ускоряющее напряжение от 40 до 120 кэВ.

·         Термоэлектронный источник электронов (LaB₆).

·         Точечная разрешающая способность прибора не хуже 0,4 нм.

·         Разрешение по линиям не хуже 0,2 нм.

·         Разрешение проекционной линзы 4 нм.

·         Максимальное увеличение избранной области 500000 раз.

Основные возможности: микроструктурный и дифракционный анализ пленок проводящего не магнитного не органического материала толщиной не более 100 нм.

Основные направления использования установки:

1. Исследование микроструктуры и морфологии конструкционных материалов.

2. Контроль качества образцов для атомно-зондовой томографии.

Направления расширения возможностей установки и направлений применения:

Установка системы цифровой регистрации изображения изучаемого образца. Программная обработка полученных изображений и расшифровка дифракционных картин.

Произведен компанией JEOL, Япония, 1986 г.